数据权力如何尊重用户权利(评论员观察)

天给大家带来一款超一线品牌「闪迪」的旗舰级固态硬盘WD_BLACK SN8100测评体验。这块固态硬盘最大的亮点就是支持PCIe 5.0通道，理论读取速度最高可达14900MB/s，最高写入速度也能达到14000MB/s。

相比于上代PCIe 4.0协议的旗舰SN850X（读取7300MB/s；写入6600MB/s）快了一倍多。非常适合想要提升视频剪辑效率（4K+超高清视频导出）、AI 模型训练以及科学模拟、3D 渲染等专业生产力用户以及追求极致游戏体验的游戏发烧友。

我到手的这款闪迪WD_BLACK SN8100为2TB版本的无散热片版，采用了常见 M.2 2280规格和单面颗粒布局，整体的厚度比较纤薄，就算安装到超薄本里也毫无压力。外观设计也比较简约，没有花里胡哨的造型。

撕下贴纸，能看到这款SN8100搭载了闪迪定制的SM2508-AC主控芯片，支持8个NAND通道。它采用的是TSMC 6nm EUV工艺，与12nm工艺的竞品相比，SM2508的功耗降低了50%的同时，能效提高了1.7倍。平均能耗可以压到7W，甚至更低，这也让它无需使用厚大的散热片或主动散热，也能释放满血性能。

右侧的是两颗Sandisk NAND BiCS8颗粒，采用了新一代的3D TLC NAND技术，其核心特点是采用218层堆叠结构。相比上一代BiCS 6存储密度提升了150%，也就是相同体积下存储容量更大了。

得益于CBA键合技术的加持，大幅提升了I/O的随机速度。它随机读写速度可以达到2.3M IOPS和 2.4M IOPS。而且，在读写寿命方面同样延续了闪迪每TB 600TBW的高水准，并提供长达5年质保。

我采用测试平台为Intel最新一代的U5 245K + B860M ULTRA V20（原生支持PCIe 5.0x4 M.2 SSD插槽）组合。

通过Crystal Disk Info 可以看出我这块SN8100固态硬盘的固件版本是830ZRR02，传输模式是PCIe5.0x4，支持NVMe Express 2.0标准。截至测试时，其主机总计读取 1456GB、总计写入 2562GB，通电次数 107 次，通电时间 137 小时，健康状态良好，温度 27°C。

CrystalDiskMark是一款大家都很熟悉的硬盘测试工具，能够很清晰的呈现出其硬盘的读写性能。在1GB数据量测试下，SN8100顺序读取速度直接突破14GB/s大关，达到了惊人的 14159MB/s，写入速度也有13719MB/s（受限于这一代Intel平台的限制，上限为14200MB/s），和官方标称的理论数据非常接近。

如果你想要获得满速14900MB/s的读取速度，那就需要搭配AMD平台使用。当然，作为一款具备 “战未来” 属性的产品，SN8100 的潜力值得期待，说不定下一代 Intel 平台就能支持其实现满速运行。

相较于上一代旗舰级PCIe 4.0固态硬盘，SN8100提升巨大，读写速度均达到了前代的 2 倍以上。这意味着在实际使用中，无论是专业用户传输上百G的 4K/8K 视频素材、导出大型三维模型和渲染文件，还是普通用户备份海量照片库或压缩包，等待时间都能缩短一半以上，大幅提升工作流效率与日常操作流畅度。

3DMark存储基准测试主要考察硬盘在游戏读写方面的表现。测试结果显示，SN8100总分5605分，平均存取时间仅为 36 微秒，平均带宽 868.73MB/s。要比上代PCIe4.0旗舰带宽大58.6%，存取时间快61%。

在实际游戏加载测试中，像是《黑神话：悟空》、《赛博朋克 2077》这类大型3A游戏的加载速度明显快于普通PCIe 4.0固态硬盘，极大的缩短了等待时间，让玩家更快进入游戏状态。对于开放世界游戏而言，快速的场景切换与资源加载能减少画面卡顿，尤其在频繁传送或遭遇复杂场景时，流畅度提升带来的沉浸感差异显著；而对于需要频繁存档 / 读档的策略游戏或 RPG 玩家，比如《全战三国》、《文明》等，近乎 “瞬时响应” 的速度能让操作节奏更紧凑。

PCMarK10快速系统盘基准测试是基于对应用程序的运行速度来评估硬盘的性能，测试结果显示SN8100这款硬盘的得分为5844，带宽678.64MB/s，平均存取时间是21微秒。而上代旗舰级PCIe 4.0硬盘得分仅为4473，带宽553.5MB/s，平均存取时间为29微秒，SN8100优势显著。这种提升在多任务场景中尤为突出，比如在同时打开 Photoshop处理照片、剪映剪辑视频、浏览器加载数十个网页时，SN8100就能快速响应数据调用需求，避免程序卡顿或 “假死”。

闪迪WD_BLACK SN8100作为新一代PCIe 5.0旗舰级固态硬盘，无疑交出了一份极具竞争力的答卷。从硬件规格来看，其搭载的闪迪定制SM2508-AC主控（TSMC 6nm EUV工艺）和218层BiCS8 3D TLC NAND颗粒，不仅实现了14900MB/s的顺序读取和14000MB/s的顺序写入理论速度，更凭借低功耗设计（平均7W），在无需厚重散热片的情况下即可释放满血性能，兼顾了性能与便携性。

性能测试中，SN8100的表现同样亮眼：CrystalDiskMark实测顺序读写突破14GB/s，与官方标称高度吻合；3DMark存储基准测试总分5605分，平均存取时间仅36微秒，较PCIe 4.0旗舰提升显著；PCMark10快速系统盘测试得分5844分，在应用加载、文件处理等场景中效率优势明显。此外，2.3M/2.4M IOPS的随机读写速度、每TB 600TBW的耐用性及5年质保，也为其可靠性提供了坚实保障。

专业生产力用户：对于需要处理4K+超高清视频导出、AI模型训练、3D渲染或科学模拟的用户，SN8100的超高速读写能大幅缩短任务耗时，提升工作流效率，是提升生产力的理想选择。

游戏发烧友：在《黑神话：悟空》《赛博朋克2077》等大型3A游戏中，SN8100能显著加快加载速度，减少等待时间，配合高性能显卡可带来更流畅的沉浸体验，尤其适合追求极致游戏体验的玩家。

普通用户：若当前设备支持PCIe 5.0平台（如搭配Intel B860等新一代主板），且有大容量高速存储需求，SN8100的性能余量能满足未来数年的使用需求；若设备仅支持PCIe 4.0，虽可兼容使用，但无法完全发挥其性能，那就没必要选择这款了。

容量选择：SN8100有1TB、2TB、4TB三个容量选项可以选择，建议优先考虑2TB及以上版本，兼顾存储容量与持续写入性能。